铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究  1.光聚合铊离子敏感膜电极

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	铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极
	吴国梁; 王凤琴; 沈彩娣; 钱国英; 谭干祖; 焦天权; 邹子亚
	1993-05-01
发表期刊	分析化学
期号	4 页码:392-395
关键词	光聚合敏感膜冠醚肉桂酸酯铊(1)离子选择电极
摘要	以合成的二种含16-冠-5衍生物的肉桂酸酯分别制得光聚合敏感膜涂铜棒和PVC膜铊(1)离子电极。涂铜棒电极对Tl~+的响应线性范围为3×10~(-5)～1×10~(-2)mol/L,斜率为48mV/pTl~+,选择系数K_(Tl)_+~(pot),k~+=0.12比之相应的PVC膜电极有较长的寿命。
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.isl.ac.cn/handle/363002/1387
专题	青海盐湖研究所知识仓储
推荐引用方式 GB/T 7714	吴国梁,王凤琴,沈彩娣,等. 铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极[J]. 分析化学,1993(4):392-395.
APA	吴国梁.,王凤琴.,沈彩娣.,钱国英.,谭干祖.,...&邹子亚.(1993).铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极.分析化学(4),392-395.
MLA	吴国梁,et al."铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极".分析化学 .4(1993):392-395.