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表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能
卿彬菊; 郭敏; 叶秀深; 刘海宁; 葛飞; 李权; 吴志坚
2009-10-15
发表期刊中国粉体技术
期号5页码:56-60
关键词表面修饰 二氧化硅微球 分散 团聚
摘要采用一步法制备了亚微米纯二氧化硅微球及8种有机硅表面修饰的二氧化硅微球,用扫描电镜、氮吸附、零电荷点测定等方法对微球进行了表征,对比研究了微球在不同介质中的分散性能。所有微球都呈球形,形貌较好,依表面修饰基团的不同,粒子直径在0.42~0.54nm之间。所有微球均为实心,比表面积均小于21m2/g。微球的零电荷点在8.25~8.93之间变化。粒子经过表面修饰后,在不同介质中表现出了不同的分散行为,微球的分散行为可以由微球的亲水及疏水性,以及DLVO理论得到基本解释。
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.isl.ac.cn/handle/363002/1078
专题青海盐湖研究所知识仓储
盐湖资源与化学实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
卿彬菊,郭敏,叶秀深,等. 表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能[J]. 中国粉体技术,2009(5):56-60.
APA 卿彬菊.,郭敏.,叶秀深.,刘海宁.,葛飞.,...&吴志坚.(2009).表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能.中国粉体技术(5),56-60.
MLA 卿彬菊,et al."表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能".中国粉体技术 .5(2009):56-60.
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