Knowledge Management System Of Qinghai Institute of Salt Lakes,CAS
表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能 | |
卿彬菊![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2009-10-15 | |
发表期刊 | 中国粉体技术
![]() |
期号 | 5页码:56-60 |
关键词 | 表面修饰 二氧化硅微球 分散 团聚 |
摘要 | 采用一步法制备了亚微米纯二氧化硅微球及8种有机硅表面修饰的二氧化硅微球,用扫描电镜、氮吸附、零电荷点测定等方法对微球进行了表征,对比研究了微球在不同介质中的分散性能。所有微球都呈球形,形貌较好,依表面修饰基团的不同,粒子直径在0.42~0.54nm之间。所有微球均为实心,比表面积均小于21m2/g。微球的零电荷点在8.25~8.93之间变化。粒子经过表面修饰后,在不同介质中表现出了不同的分散行为,微球的分散行为可以由微球的亲水及疏水性,以及DLVO理论得到基本解释。 |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.isl.ac.cn/handle/363002/1078 |
专题 | 青海盐湖研究所知识仓储 盐湖资源与化学实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 卿彬菊,郭敏,叶秀深,等. 表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能[J]. 中国粉体技术,2009(5):56-60. |
APA | 卿彬菊.,郭敏.,叶秀深.,刘海宁.,葛飞.,...&吴志坚.(2009).表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能.中国粉体技术(5),56-60. |
MLA | 卿彬菊,et al."表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能".中国粉体技术 .5(2009):56-60. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
表面修饰二氧化硅微球的制备_表征及分散性(518KB) | 开放获取 | 使用许可 | 浏览 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[卿彬菊]的文章 |
[郭敏]的文章 |
[叶秀深]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[卿彬菊]的文章 |
[郭敏]的文章 |
[叶秀深]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[卿彬菊]的文章 |
[郭敏]的文章 |
[叶秀深]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论