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题名: 水滑石晶体生长机理
作者: 吴健松 ;  肖应凯 ;  汪剑宇 ;  文丽容
刊名: 中国科学:技术科学
出版日期: 2012-04-20
期号: 4, 页码:486-492
关键词: 负离子配位多面 ;  体生长基元模型 ;  生长机理 ;  生长形态 ;  姜-泰效应 ;  水滑石晶体
中文摘要: 从"生长基元"角度出发,研究了水滑石晶体生长机理,结果表明水滑石生长形态符合负离子配位多面体生长模型.采用Raman光谱分析了镁铝水滑石、铜镁铝类水滑石、铜锌镁铝类水滑石生长溶液拉曼位移,发现镁铝水滑石层板生长基元是[Mg-(OH)6]4-,[Al-(OH)6]3-;含铜锌类水滑石的生长基元是[M-(OH)6]4-(M=Zn2+,Cu2+),[Mg-(OH)6]4-,[Al-(OH)6]3-,水滑石的生长是生长基元先叠合为金属板层,然后再吸附阴离子An及H2O,依此循环而组成层状化合物.水滑石生长基元所处生长环境不同,会使生长形态不同,以至形成不同外形的水滑石.文章还分析了为什么含铜类水滑石较...
语种: 中文
Citation statistics: 
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.isl.ac.cn/handle/363002/1275
Appears in Collections:青海盐湖研究所知识仓储(2014年之前)_期刊论文

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吴健松,肖应凯,汪剑宇,等. 水滑石晶体生长机理[J]. 中国科学:技术科学,2012-04-20(4):486-492.
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